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SK海力士 關(guān)鍵字列表
HBM、HBM2、HBM3和HBM3e技術(shù)對比
HBM（高帶寬存儲）是一種多層DRAM Die垂直堆疊的存儲技術(shù)，通過TSV技術(shù)實(shí)現(xiàn)高帶寬和小體積。
DRAM，速度很快：SK海力士邁向HBM3E領(lǐng)域
在美光第二代HBM3芯片亮相一個月后， SK海力士正在對一款HBM3E芯片進(jìn)行采樣。
洛斯阿拉莫斯國家實(shí)驗(yàn)室與SK海力士合作開發(fā)計算存儲SSD
洛斯阿拉莫斯國家實(shí)驗(yàn)室與SK海力士將在下周的閃存峰會上展示合作開發(fā)的計算存儲SSD，號稱能通過對鍵值存儲數(shù)據(jù)的索引將模擬分析速度提升三個數(shù)量級。
官宣：SK海力士收購英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)，英特爾表示將更加關(guān)注差異化技術(shù)領(lǐng)域
SK海力士和英特爾在韓國時間10月20日共同宣布簽署收購協(xié)議，根據(jù)協(xié)議約定，SK海力士將以90億美元收購英特爾的NAND閃存及存儲業(yè)務(wù)。
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