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SK海力士 關(guān)鍵字列表
HBM、HBM2、HBM3和HBM3e技術(shù)對(duì)比
HBM（高帶寬存儲(chǔ)）是一種多層DRAM Die垂直堆疊的存儲(chǔ)技術(shù)，通過(guò)TSV技術(shù)實(shí)現(xiàn)高帶寬和小體積。
2024-01-15
2023年NAND發(fā)展概況：層數(shù)增加，QLC改進(jìn)
對(duì)于NAND閃存存儲(chǔ)來(lái)說(shuō)，2023年可謂過(guò)山車般跌宕起伏的一年。
DRAM，速度很快：SK海力士邁向HBM3E領(lǐng)域
在美光第二代HBM3芯片亮相一個(gè)月后， SK海力士正在對(duì)一款HBM3E芯片進(jìn)行采樣。
2022-08-02
洛斯阿拉莫斯國(guó)家實(shí)驗(yàn)室與SK海力士合作開發(fā)計(jì)算存儲(chǔ)SSD
洛斯阿拉莫斯國(guó)家實(shí)驗(yàn)室與SK海力士將在下周的閃存峰會(huì)上展示合作開發(fā)的計(jì)算存儲(chǔ)SSD，號(hào)稱能通過(guò)對(duì)鍵值存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的索引將模擬分析速度提升三個(gè)數(shù)量級(jí)。
官宣：SK海力士收購(gòu)英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)，英特爾表示將更加關(guān)注差異化技術(shù)領(lǐng)域
SK海力士和英特爾在韓國(guó)時(shí)間10月20日共同宣布簽署收購(gòu)協(xié)議，根據(jù)協(xié)議約定，SK海力士將以90億美元收購(gòu)英特爾的NAND閃存及存儲(chǔ)業(yè)務(wù)。
白皮書
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數(shù)字化轉(zhuǎn)型方略
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