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產(chǎn)業(yè)丨AI半導體熱潮中升溫，SK海力士年度營業(yè)利潤或超三星
當前，英偉達的GPU終于確立了HBM技術的領先地位，整個行業(yè)正緊隨其后，加速HBM技術的發(fā)展。在AI硬件競爭的激烈角逐中，時間等同于生命，任何落后都可能導致被淘汰的命運。在HBM技術發(fā)展的道路上，一場無形的較量正在激烈進行，同時也標志著芯片市場競爭格局的重新塑造。
聚焦下一代高性能內(nèi)存技術 Rambus多舉措加速HBM落地
Rambus半導體IP產(chǎn)品管理總監(jiān)Nidish Kamath在接受至頂網(wǎng)獨家專訪時表示，由于AI、機器學習和高性能計算應用的普及，越來越需要HBM等高帶寬、低延遲的內(nèi)存解決方案。
預判數(shù)據(jù)中心內(nèi)存市場將迎來繁榮，美光正積極著手準備
如果不喜歡大起大落、驚心動魄，折磨得人夜不能寐的繁榮蕭條更迭周期，那請大家千萬不要涉足內(nèi)存業(yè)務。
高性能GPU服務器硬件拓撲與集群組網(wǎng)
一些 GPU 廠商（不是只有 NVIDIA 一家這么做）將將多個 DDR 芯片堆疊之后與 GPU 封裝到一起 （后文講到 H100 時有圖），這樣每片 GPU 和它自己的顯存交互時，就不用再去 PCIe 交換芯片繞一圈，速度最高可以提升一個量級。這種“高帶寬內(nèi)存”（High Bandwidth Memory）縮寫就是 HBM。
HBM研究框架：突破“內(nèi)存墻”，封裝新突破
HBM技術通過提升I/O口數(shù)量和速率，突破內(nèi)存限制，成為AI芯片的強大輔助。HBM3和HBM3e將成為AI服務器主流配置，預計HBM4將于2026年發(fā)布。全球HBM市場預計在2024年超百億美元。HBM采用TSV+Bumping和TCB鍵合方式，但散熱效率低下，海力士引入MR-MUF工藝改善。預計HBM4將采用混合鍵合Hybrid Bonding技術，3D封裝的核心是混合鍵合與TSV。
AI芯片架構眾多，誰會主宰算力芯片？
智算中心的發(fā)展依托最新AI理論和計算架構，以AI大模型和算力技術為核心。GPU主導算力芯片市場，AI信創(chuàng)推動國產(chǎn)算力。AI分布式計算市場由算力芯片、內(nèi)存和互聯(lián)設備組成。ChatGPT推動GPU需求，SK海力士HBM3產(chǎn)量售罄。CoWoS封裝技術集成HBM與處理器，臺積電領先封裝市場。AI算力需求推動高效電源技術發(fā)展，背面供電技術成為關鍵。
HBM、HBM2、HBM3和HBM3e技術對比
HBM（高帶寬存儲）是一種多層DRAM Die垂直堆疊的存儲技術，通過TSV技術實現(xiàn)高帶寬和小體積。
產(chǎn)業(yè)丨價格暴漲500%，高階HBM市場來臨
隨著人工智能應用的增長，高帶寬內(nèi)存HBM需求激增，價格飆升。SK海力士和三星電子等存儲大廠正在擴產(chǎn)以滿足市場需求，同時也在開發(fā)下一代HBM技術。
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