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服務器減少約50%還能提升效率？傲騰助PayPal擊碎內存墻！
為了實時識別新出現(xiàn)的欺詐模式，PayPal需要更快地處理和分析更多數(shù)據(jù)，就需要將盡可能大體量的數(shù)據(jù)與實時處理做更好的對接。 然而，內存墻的問題，在此時也悄然出現(xiàn)了。
英特爾David Tuhy：以現(xiàn)代化基礎設施持續(xù)賦能云原生數(shù)字化轉型
隨著企業(yè)數(shù)字化轉型的進行和后疫情時代的轉型加速，計算需求大幅增加。
英特爾傲騰如何實現(xiàn)內存-存儲池的大一統(tǒng)
盡管英特爾傲騰技術在速度上無法完全與DRAM匹敵，但其持久性的獨特優(yōu)勢——在無需供電的情況下依然可以保持數(shù)據(jù)的存續(xù)狀態(tài)，對于企業(yè)級系統(tǒng)來說十分難能可貴。
傲騰持久內存為智能計算賦能，加速企業(yè)數(shù)字化應用創(chuàng)新
浪潮提出智能計算是未來IT基礎架構的首選。在浪潮的智能計算架構里面，基于英特爾傲騰技術的持久性內存，在智能計算中發(fā)揮重要的作用。
英特爾助力“存儲金字塔”進化，攜手浪潮共創(chuàng)業(yè)界最高性能中端全閃存儲
隨著數(shù)據(jù)的爆炸式增長，如人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等新技術的成熟，人們對于數(shù)據(jù)處理的極高需求與底層存儲技術之間的不匹配感越來越強烈。
引領存儲新架構 構建數(shù)據(jù)金字塔 英特爾通過傲騰和QLC NAND技術變革存儲未來
英特爾公司中國區(qū)非易失性存儲事業(yè)部總經理劉鋼先生出席大會并發(fā)表演講，不僅從產品層面闡述了英特爾如何通過傲騰技術和QLC NAND技術填補當前存儲層級中的巨大鴻溝。
樹立存儲戰(zhàn)略長期愿景——英特爾重押傲騰技術推動數(shù)據(jù)加速
近日在首爾召開的英特爾“內存&存儲日”的活動中，至頂網(wǎng)與來自全球各地的媒體一起見證了英特爾最新的存儲技術和應用。
攜手合作伙伴，傲騰技術加速釋放數(shù)據(jù)中心潛能
我們知道DRAM 在性能方面表現(xiàn)出色，但它昂貴、易失且可擴展性有限；閃存存儲 (NAND) 是非易失性的且比 DRAM 便宜，但它缺乏 DRAM 的性能。
加速計算時代：英特爾在三星主場發(fā)布內存和存儲產品
今天英特爾提出的一系列新技術，突出顯示其正在進行的投資和承諾促進基于內存和存儲來加速以數(shù)據(jù)為中心的計算時代。
數(shù)據(jù)分層多樣化趨勢已現(xiàn)，異構存儲勢在必行
隨著NAND和3D XPoint技術不斷成熟，企業(yè)在常規(guī)內存、硬盤和磁帶庫之外可以選擇SSD和傲騰等新存儲介質，這也使得前些年提出的數(shù)據(jù)分層存儲在今天有了更為現(xiàn)實的意義。
走進華數(shù)傳媒，感受創(chuàng)新脈動！
面對傳統(tǒng)有線電視業(yè)務的下滑、降費提速策略的加速實施、網(wǎng)絡運營商管道化的趨勢下，華數(shù)傳媒積極向新網(wǎng)絡+應用、新媒體+內容、大數(shù)據(jù)+開發(fā)三大戰(zhàn)略轉型。
英特爾傲騰+QLC 高速、高密、大容量的存儲發(fā)展趨勢
那么要如何實現(xiàn)存儲設備更快的響應時間、更低的占用空間、更低的能耗這些“高”要求呢？在2018中國存儲與數(shù)據(jù)峰會上，英特爾中國區(qū)非易失性存儲事業(yè)部總經理劉鋼向大家展示了傲騰+QLC實現(xiàn)高速、高密、大容量的存儲發(fā)展趨勢。
走進華數(shù)傳媒，攜手英特爾以技術驅動踐行創(chuàng)新基因
技術創(chuàng)新的一個優(yōu)勢就是，當一個人采用了新產品之后，再回去體驗舊的產品會很痛苦，比如使用完智能手機之后，在使用功能機就非常不適應。比如使用了采用SSD筆記本電腦，在回去使用機械盤電腦，僅僅開機體驗就讓人痛苦不堪。
蓄勢待發(fā)，基于英特爾傲騰技術的持久內存將為數(shù)據(jù)中心提供加速服務
英特爾革命性的內存技術要為數(shù)據(jù)中心提供加速服務了。近日，英特爾發(fā)布傲騰數(shù)據(jù)中心級持久內存測試版程序，將通過數(shù)據(jù)中心為企業(yè)提供加快數(shù)據(jù)流動、提高數(shù)據(jù)的存儲和處理能力的服務。
突破數(shù)據(jù)瓶頸 釋放計算潛能 ——英特爾傲騰技術分享
5月9日，英特爾傲騰技術媒體分享會在北京成功舉辦。大會上，英特爾公司副總裁兼非易失性存儲方案事業(yè)部戰(zhàn)略規(guī)劃、市場營銷與業(yè)務拓展總監(jiān)，Bill Leszinske向我們介紹了英特爾傲騰技術與3D NAND技術的最新應用進展。
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