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DDR5 關(guān)鍵字列表
2024-07-12
開啟數(shù)據(jù)中心的新紀(jì)元 Rambus帶來(lái)全新DDR5 PMIC
Rambus宣布推出最先進(jìn)的全新DDR5服務(wù)器電源管理IC（PMIC）系列，包含適用于高性能應(yīng)用的業(yè)界領(lǐng)先超高電流電源器件。憑借這一全新服務(wù)器PMIC系列，Rambus為模塊制造商提供了完整的DDR5 RDIMM內(nèi)存接口芯片組，支持廣泛的數(shù)據(jù)中心用例。
美光推出基于1β技術(shù)的DDR5內(nèi)存，速率高達(dá)7,200MT/s
美光將業(yè)界領(lǐng)先的1β技術(shù)拓展至服務(wù)器及PC應(yīng)用，性能提升50%
研究人員設(shè)計(jì)出比DDR5快30倍的3D DRAM
東京工業(yè)大學(xué)的科學(xué)家們?cè)O(shè)計(jì)出一種新型3D DRAM棧，其頂部配有處理器，可提供比高帶寬內(nèi)存（HBM）高出四倍的傳輸帶寬與僅五分之一的訪問功耗。
2022-01-18
Rambus DDR5：賦能中國(guó)下一代數(shù)據(jù)中心
在5G、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能/機(jī)器學(xué)習(xí)（AI/ML）等大趨勢(shì)的共同推動(dòng)下，中國(guó)的數(shù)據(jù)流量正在呈指數(shù)增長(zhǎng)。據(jù)IDC預(yù)測(cè)，到2025年，中國(guó)將擁有約占全球三分之一的數(shù)據(jù)，即大約48.6 ZB，約為美國(guó)的1.6倍。
美光量產(chǎn)全球首款基于 LPDDR5 DRAM 的多芯片封裝產(chǎn)品
高性能內(nèi)存和存儲(chǔ)集成于單個(gè)緊湊封裝中，加速智能手機(jī)的 5G 應(yīng)用
2020-07-31
美光啟動(dòng)技術(shù)賦能計(jì)劃，加速 DDR5 普及
這是一個(gè)令人振奮的時(shí)刻！各種技術(shù)進(jìn)步接踵而至，讓 DDR5 作為下一代 DRAM 內(nèi)存開始走向市場(chǎng)，以解決日益復(fù)雜的數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載問題。
白皮書
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數(shù)字化轉(zhuǎn)型方略
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