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2025-02-21
Kioxia 和 SanDisk 展示 332 層 3D NAND 未來(lái)技術(shù)
鎧俠和閃迪聯(lián)合預(yù)覽了更快的 218 層 3D NAND 技術(shù)，具有更高的接口速度和更好的能效。他們還透露了即將推出的 332 層技術(shù)。這些進(jìn)展將大幅提升存儲(chǔ)性能和容量，以滿足人工智能等新興應(yīng)用對(duì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的巨大需求。新技術(shù)采用創(chuàng)新的 NAND 接口和芯片架構(gòu)，有望推動(dòng)閃存存儲(chǔ)技術(shù)邁向新的里程碑。
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